“好的，我也想看看你们是如何施加磁场的。”

让自己去看生长炉，姚飞哪还不知道布雷迪在打的什么主意，不就是想让他出点力么。

“教授，你先跟我说说你们现在施加磁场的情况吧……”

来到实验级小型生长炉前，姚飞一边看，一边向布雷迪问道，单晶硅生长他知道的理论远远比实际经验来的多。哪怕现在让他把眼前这一套设备的各个零部件认得全。估计都有难。

“我们目前采用的是对冲垂直磁场，让磁场的作用方向与晶棒的生长方向保持一致，最大限的利用处于熔体状态中硅单晶的粘滞性，而我们现在正在调整的方向是将磁场的作用位置调整至坩埚硅晶熔融位置好。还是往上调整至相应冷却位置好……”

磁场的作用位置是非常有讲究的。他必须要根据材料的特性即分在各种状态下的运动规律来施加的。早迟都会达不到预期的效果。

“教授，我想我有些明白了，我认为你们一开始就走入了一个误区。洛伦兹力固然是一个非常可靠的依据，但是我们同样可以尝试一下水平力场，而且作用的区域也可以不局限据熔融的某一个区域，扩大一点磁场作用范围岂不是更好？”

看着被固定在生长炉外延的两块长方形磁体，姚飞思考了一番之后对着布雷迪说道。

“全磁场我们制造过，但是结果没有现在这样生长出来的硅晶棒纯高，至于水平磁场，这个我还真没有尝试过……”

姚飞说的方法虽然布雷迪之前都考虑过，不过科家都是偏执的，布雷迪想的是先将目前方法中的最佳磁场位置找出来，到时候再尝试其它的方法，结果现在却是被姚飞抢了先。

“不用全磁场，局部一定范围的磁场就行，不然就有点失去了这种方式的意义，至于水平磁场，我倒是建议你采用水平磁场！”

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